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        單晶銀的蛻變升華

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        單晶銀的蛻變升華

        發布日期:2021-05-21 00:00 來源:http://www.19wmce2003.com 點擊:

          隨著電子信息時代的飛速發展,其應用基礎與核心的大規模集成電路、超大集成電路和甚大規模集成電路的特征間距尺寸已走過了0.18&micro;m、0.13&micro;m、0.10&micro;m 的路程,直至當今的0.07&micro;m生產水平。其集成度也達到數千萬只晶體管至數億只晶體管,布線層數由幾層發展至10層,布線總長度可高達1.4Km。這樣一來,硅芯片上原由鋁布線實現多層互連,由于鋁的高電阻率制約,顯然難以得到發揮。所以在芯片特征間距尺寸達到0.18&micro;m或更小時,根據研究我們采用了電阻率低、電氣性能和機械性能俱佳,以及價格低廉的單晶銅絲進行了多次的鍵合試驗,結果解決了多層布線多年要解決的難題。同樣情況,由于芯片輸入已高達數千輸入引腳的大量增加,使原來的金、鋁鍵合絲的數量及長度也大大增加,致使引線電感、電阻很高,從而也難以適應高頻高速性能的要求,在這種情況下,我們同樣采取了性價比都優于金絲的單晶銅純銀(ф0.018mm)進行了引線鍵合,值得可賀的是鍵合后結果取得了預想不到的成功。從此改變了傳統鍵合金絲的市場壟斷,實現了單晶銅絲鍵合引線在中國集成電路微電子封裝產業系統中的應用未來發展前景十分廣闊。同時也填補了中國在這一領域的空白,節省貨幣金屬黃金消耗,增加了中國黃金戰略儲備具有一定重大的意義。

        美、日、歐等發達國家,經過對單晶銅布線及其引線鍵合的多年研發工藝,技術已日漸成熟,近幾年少數高校及科研院所(如哈工大)和該公司一樣未雨綢繆,開展了對單晶銅引線可靠性的探索和研究,并取得了可喜的成果。


        單晶銀


        近幾年來,根據國內外集成電路封裝業大踏步的快速發展,該公司緊跟這一發展趨勢,在全國率先研發生產出單晶銅鍵合絲,其直徑規格最小為ф0.016mm,可達到或超過傳統鍵合金絲引線ф0.025mm和緝拿和硅鋁絲ф0.040mm質量水平。為促進技術成果盡快向產業化轉移,促進生產力的發展,為此,我們一直期待著能早日為集成電路封裝業高尖端技術的應用做出應有的貢獻。


        相關標簽:單晶銀,鍍單晶銀,單晶銅純銀

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